1.1 局部放電現(xiàn)象的研究

1.1.3 缺陷導致的絕緣老化

缺陷引起的絕緣老化可能有一個跡象，就是在高壓絕緣中存在局部放電活動。進一步的老化可能由放電產(chǎn)物的成分與缺陷周圍絕緣材料的相互作用而引起。局放現(xiàn)象可能是*的（由設(shè)計或加工過程引起），或者可能隨設(shè)備的運行而發(fā)展（例如由高溫、電和機械的過應(yīng)力引起）。

局放的危害程度由局放產(chǎn)物的高能/高溫能力決定，絕緣材料受局部放電活動的影響產(chǎn)生*性變化，而且介電強度降低。危害程度水平與材料有很大關(guān)系。

局部放電時，電子的能量或溫度（不要誤認為是氣體分子周圍或等離子區(qū)的溫度）可能達到10-20eV（電離能量）。與化學鍵的類型有關(guān)，能量超過5eV時聚合物的化學鍵可被破壞，高能電子與固體絕緣材料相互作用可能引起固體/液體周圍大分子化學鍵的破壞。這種變化可能是由于受放電影響，固體絕緣材料壁簡單剝落或者腐蝕，也可能是固體絕緣的化學結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生了變化（例如碳化）。因為這些影響是*性的，而且放電點是封閉的，所以這種損害的整體效應(yīng)zui后可能導致絕緣的毀滅性故障。

絕緣老化過程中局部放電的整體效應(yīng)有時可能是局放量和重復率增大，也可能是有關(guān)放電參數(shù)例如相位產(chǎn)生實質(zhì)性變化。如果具有一些可用的關(guān)于類似結(jié)構(gòu)和材料中放電影響的恰當知識，放電的這些性質(zhì)變化就可用來建立評定絕緣狀態(tài)的方法。

局放是非常有害的，局放中的高電子能和來自裂解分子的侵襲性化學副產(chǎn)物，都可能引起絕緣*性損壞。在固體中出現(xiàn)局部腐蝕和通道成長（即可能產(chǎn)生電樹枝）。在浸漬絕緣系統(tǒng)中形成酸和溶解氣體，固體可能隨時間消耗殆盡。然而，一些氣體絕緣系統(tǒng)中，值得注意的是空氣，電離和局放（電暈）相結(jié)合，在一般情況下沒有任何長期性影響，因為氣體隨時間而進行交換，空氣絕緣可認為是自恢復的。在SF6情況下，情況不是如此簡單，SF6氣體可能有*性質(zhì)變，特別是有水分等雜質(zhì)存在時更是如此，這時可形成氟酸。如果放電發(fā)生在絕緣子界面，也可發(fā)生*性危害。